Pesquisadores da Universidade de Southampton conseguiram um novo recorde criando o transistor mais "rapido" do mundo. A façanha se deu juntando o ion flúor na ja existente tecnica usando silício. A novidade interessa porque a tecnica e bem mais barata q suas alternativas(germanio ou galio). A tecnica da "implantaçao" de ions permitiu o transistor alcançar incriveis 110Ghz! Circuitos completos coseguem operar a um décimo disto!
Pelo jeito, quanto menor, melhor! Os ions(o fluor nesse caso) sao medidos em picometros, ou seja, 1 milesimo do nanometro, medida padrao atual dos transistores q sao utilizados nos chips mundo afora.
Fonte: http://news.bbc.co.uk/2/hi/technology/5259594.stm
Pelo jeito, quanto menor, melhor! Os ions(o fluor nesse caso) sao medidos em picometros, ou seja, 1 milesimo do nanometro, medida padrao atual dos transistores q sao utilizados nos chips mundo afora.
Fonte: http://news.bbc.co.uk/2/hi/technology/5259594.stm