Prezados amigos deste fórum , venho por compilar uma matéria feita pelo gabriel torres sobre a feira IDF Fall 2003 , onde nelas há grandes novidades e previsões a quais todos aqui já especularam ou têm uma idéia.
Eu também estou ciente dos descrédito de vós a respeito dos reviews realizados pelo mesmo em diversos periféricos e na qual desagrada , mas estou postando esta informação de cunho conhecimento, visto que é um grande evento de tecnologia e nada têm a ver com posições pessoais sobre isto ou aquilo , visto que é algo de tecnologia de ponta e não opinião em si.
Os comentários a seguir são de autoria de Gabriel torres , sendo disto me eximo do julgamento.
Gostaria também de resaltar para a opinião de profissionais em tecnologia , programação em geral que dessem sua opiniões por favor , será de grande ajuda.
O fórum é para esta finalidade , trocar informações e aprender muito , muito .
Obrigado à todos ..
PS: Lamento , caso já tenha sido postado algo similar.
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O grande problema é a complexidade de se diminuir ainda mais o tamanho dos transistores usados no interior dos chips de processadores. Como você pode conferir na figura abaixo, a nova tecnologia de 90 nm (0,090 micron) faz com que as trilhas dos processadores sejam menores do que o vírus da gripe
Mesmo assim, Ottelini fez a primeira apresentação de um wafer de uma nova pastilha de silício usando a tecnologia de 65 nm (0,065 micron), que deverá ser lançada somente em 2005. Para esta tecnologia, a Intel investiu US$ 10 bilhões na fábrica de Ronler Acres, Oregon.
Para a tecnologia após a de 65 nm, a Intel está desenvolvendo um novo tipo de transistor, chamado tri-gate, que tem três terminais "gate", como você confere na figura 5 (os trasistores FET normalmente têm três terminais, um chamado Dreno ou Drain, um chamado Fonte ou Source e um chamado Portão ou Gate). Ou seja, este tipo de transistor tem três terminais de controle, em vez de apenas um.
Segundo a Intel, a sua tecnologia de 45 nm estará disponível em 2007, a de 32 nm em 2009 e a de 22 nm em 2011. Interessante notar que nestas tecnologias, cada terminal do transistor deverá ter, respectivamente, 20 nm, 15 nm e 10 nm de espessura. Só para você ter uma idéia, a espessura de uma molécula de DNA humano é de aproximadamente 12 nm. Realmente impressionante.
Eu também estou ciente dos descrédito de vós a respeito dos reviews realizados pelo mesmo em diversos periféricos e na qual desagrada , mas estou postando esta informação de cunho conhecimento, visto que é um grande evento de tecnologia e nada têm a ver com posições pessoais sobre isto ou aquilo , visto que é algo de tecnologia de ponta e não opinião em si.
Os comentários a seguir são de autoria de Gabriel torres , sendo disto me eximo do julgamento.
Gostaria também de resaltar para a opinião de profissionais em tecnologia , programação em geral que dessem sua opiniões por favor , será de grande ajuda.
O fórum é para esta finalidade , trocar informações e aprender muito , muito .
Obrigado à todos ..
PS: Lamento , caso já tenha sido postado algo similar.
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O grande problema é a complexidade de se diminuir ainda mais o tamanho dos transistores usados no interior dos chips de processadores. Como você pode conferir na figura abaixo, a nova tecnologia de 90 nm (0,090 micron) faz com que as trilhas dos processadores sejam menores do que o vírus da gripe
Mesmo assim, Ottelini fez a primeira apresentação de um wafer de uma nova pastilha de silício usando a tecnologia de 65 nm (0,065 micron), que deverá ser lançada somente em 2005. Para esta tecnologia, a Intel investiu US$ 10 bilhões na fábrica de Ronler Acres, Oregon.
Para a tecnologia após a de 65 nm, a Intel está desenvolvendo um novo tipo de transistor, chamado tri-gate, que tem três terminais "gate", como você confere na figura 5 (os trasistores FET normalmente têm três terminais, um chamado Dreno ou Drain, um chamado Fonte ou Source e um chamado Portão ou Gate). Ou seja, este tipo de transistor tem três terminais de controle, em vez de apenas um.
Segundo a Intel, a sua tecnologia de 45 nm estará disponível em 2007, a de 32 nm em 2009 e a de 22 nm em 2011. Interessante notar que nestas tecnologias, cada terminal do transistor deverá ter, respectivamente, 20 nm, 15 nm e 10 nm de espessura. Só para você ter uma idéia, a espessura de uma molécula de DNA humano é de aproximadamente 12 nm. Realmente impressionante.
