Cooler box?
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Mas o importante pra mim é subir em jogos mesmo. Nos jogos os 8 cores sobem pra quase 4.4hgz. Testes nem fico fazendo (pra quê?) e pra outras aplicações que eu uso (basicamente internet) os 2.2ghz sobram. E como jogo pouco (só de final de semana, umas 8h/dia) não me preocupo subindo os cores, as temps e vcore tbm. Eu fiz essa limitação mais pra evitar as oscilações doidas e pra evitar as temps extremas (antes ficava em 82-85...agora fica em 77ºC, ainda alta, mas de boa pra mim...isso em full load).
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Acho que tá sussa...em testes vai ao extremo mesmo, não dá pra ser mto parâmetro.
O melhor teste, na minha opinião, é ver as temps jogando os jogos que vc normalmente joga.
Também acho que as temperaturas máximas atingidas em testes de stress não servem como parâmetro para avaliar se as temperaturas estão boas ou não, pois durante um teste de stress o processador fica com 100% de uso o tempo inteiro, porcentagem de uso em que dificilmente o processador chegará você usando o PC normalmente, seja apenas navegando na Internet, seja rodando um jogo/aplicação pesada.
Aqui com o cooler Gammax GTE rodando teste de strees meu 3600x ficou entre 78º e 81º, dependendo da temperatura ambiente. Quando a temperatura ambiente estava em 28º, o processador chegou no máximo aos 81º durante o teste de stress e quando estava mais frio chegou no máximo aos 78º, mas são temperaturas em que dificilmente chegaria, mesmo rodando um jogo/aplicação pesada.
Última edição:
Tenho o mesmo Gabinete com a mesma quantidade de ventoinhas e também o mesmo GAMMAXX 400 fiquei até tenso agora porque tou pra pegar o R7 3700x ou o 3800x se já tá assim com esse 3600 imagina com um desses dois,acho que você pode ter fixado meio errado não deve tá tendo contato com o CPU os heatpipes já que esse GAMMAXX tem fama de não ter um bom encaixe comparado ao GTE.
@user101 @dayllann
Atualização: Plataforma de tecnologia CMOS de 5 nm da TSMC
Completo: https://www.semiconductor-digest.co...r-5-nm-cmos-technology-platform-at-iedm-2019/
Detalhes do processo de 5 nm (N5) foram divulgados lentamente nos últimos meses, mais recentemente no Simpósio de Tecnologia em abril e no Fórum de Inovação da Plataforma de Inovação Aberta (OIP) no mês passado, e também no Arm TechCon, tudo no Vale do Silício . Condensando as informações relatadas a partir deles, e em nenhuma ordem específica, temos:
Em um circuito de teste, um transmissor PAM4 SerDes demonstrou velocidades de 130 Gb / s com eficiência energética de 0,96pJ / bit. A tecnologia aprovada na qualificação com alto rendimento e produção em massa é esperada para o 1S 2020.
A figura 1 abaixo mostra os ganhos de velocidade e densidade de 15% (à esquerda) e as sete opções de Vt.
figura 1
A Fig. 2 ilustra a comparação de cinco máscaras de imersão com uma única máscara EUV, no que parece uma camada de roteamento de célula padrão, ou seja, M1 ou M2. Com um passo experimental de Mx de 30 nm , seria necessário o SAQP ou LE3, além de duas máscaras cortadas, substituídas por uma etapa litográfica do EUV. Usando MxP de 30 nm para calibrar, esta imagem nos fornece uma altura de faixa de ~ 175 nm (~ 5,8 células de faixa), uma escala linear de ~ 0,73 em comparação com o processo de 7 nm. E podemos ver que o padrão é um pouco mais nítido.
Figura 2. Um EUV substituindo 5 padrões de imersão por melhor fidelidade de padrão, menor tempo de ciclo e menos defeitos.
O documento reivindica mais de dez camadas EUV, substituindo pelo menos 4 vezes mais camadas de imersão nas etapas de corte, contato, via e máscara de linha de metal - 4x o que eles não dizem, mas presumivelmente N7 + (7FF +), a atual iteração EUV. Um processo de padronização de porta baseado em EUV também é mencionado especificamente. O nó de 5 nm é a primeira geração no TSMC, na qual a contagem total de máscaras é reduzida com o uso de EUV (Fig. 3).
Figura 3. Comparação da contagem total de máscaras para os nós de 16 - 5 nm (7FF + não mostrado)
A Fig. 6 abaixo é simplesmente um gráfico dos tamanhos de células SRAM publicados, mostrando que a SRAM de 0,021 µm 2 é a menor relatada até o momento.
Figura 6
Figura 7
Na Fig. 7 acima, temos diagramas oculares para transmissores PAM4 SerDes construídos em um chip de teste de 5 nm, demonstrando os 112 Gb / s mencionados anteriormente e os 130 Gb / s detalhados em resumo.
Quando se trata do back-end, os valores de Rc para o metal mais apertado e os arremessos via são próximos aos do nó 7N:
Fig. 8 Valores RC para os arremessos Mx e Vx mais apertados para os nós N28 - N5
O Vt extremamente baixo (eLVT) dos sete Vts mostrados acima fornece velocidade de pico de 25% em 7 nm e uma célula padrão de 3 aletas permite um aumento extra de 10% no desempenho do HPC (Fig. 8). Penso que esta será a primeira vez que vimos uma célula de 3 barbatanas mencionada em um documento de plataforma, além da célula SRAM 1-1-1, que geralmente é citada como a menor SRAM em um nó específico (neste caso 0,021 µm 2 ).
Figura 9. Os transistores eLVT fornecem velocidade de pico 25% mais rápida em comparação a 7 nm e um desempenho extra de 10% de uma célula padrão de 3 aletas.
Para tentar compensar isso, aqui estão as estimativas dos estimados Scotten Jones ( ICKnowledge , publicado no SemiWiki ) e David Schor ( WikiChip Fuse ) publicados no início deste ano:
Atualização: Plataforma de tecnologia CMOS de 5 nm da TSMC
Completo: https://www.semiconductor-digest.co...r-5-nm-cmos-technology-platform-at-iedm-2019/
Detalhes do processo de 5 nm (N5) foram divulgados lentamente nos últimos meses, mais recentemente no Simpósio de Tecnologia em abril e no Fórum de Inovação da Plataforma de Inovação Aberta (OIP) no mês passado, e também no Arm TechCon, tudo no Vale do Silício . Condensando as informações relatadas a partir deles, e em nenhuma ordem específica, temos:
- Destinado a clientes móveis e de computação de alto desempenho
- A produção de risco começou em março de 2019; rampa de alto volume no 2T'20 no Gigafab 18 recentemente concluído em Tainan (instalação de equipamentos da fase 1 concluída em março de 19)
- There will be a N5P (performance) version a year later, with a +7% performance boost at constant power, or ~15% power reduction at constant perf over N5
- A densidade lógica é aumentada em 1,8X, a escala SRAM é 0,75 e a escala analógica é ~ 0,85 vs 7 nm
- Iso-power speed gain is 15%, or 30% lower power at the same speed compared with 7-nm.
- O uso do EUV foi enfatizado
- Haverá um transistor de canal de alta mobilidade (HMC)
- Contatos e vias de baixa resistência; passo de metal ligeiramente relaxado e vias mais largas.
- As variantes de transistor incluem um transistor de E / S que pode ser de 1,5V ou 1,2V e um dispositivo LVT extremo 25% mais rápido que o equivalente a 7 nm.
- Via pilares e metal otimizado nas células padrão da HPC aumentam o desempenho em 10%
- Um SerDes de 112 Gbps está disponível.
- Estrutura de capacitor MIM de densidade super alta com 2X ff / µm 2 e densidade de inserção 2X, proporcionando um aumento de velocidade de 4%
- Novos materiais dielétricos de baixo K
- Gravura reativa de íons metálicos (RIE), substituindo Cu damasceno por passo de metal <30nm
- Uma “tampa” de grafeno para reduzir a resistividade da interconexão de Cu
Em um circuito de teste, um transmissor PAM4 SerDes demonstrou velocidades de 130 Gb / s com eficiência energética de 0,96pJ / bit. A tecnologia aprovada na qualificação com alto rendimento e produção em massa é esperada para o 1S 2020.
A figura 1 abaixo mostra os ganhos de velocidade e densidade de 15% (à esquerda) e as sete opções de Vt.
figura 1
A Fig. 2 ilustra a comparação de cinco máscaras de imersão com uma única máscara EUV, no que parece uma camada de roteamento de célula padrão, ou seja, M1 ou M2. Com um passo experimental de Mx de 30 nm , seria necessário o SAQP ou LE3, além de duas máscaras cortadas, substituídas por uma etapa litográfica do EUV. Usando MxP de 30 nm para calibrar, esta imagem nos fornece uma altura de faixa de ~ 175 nm (~ 5,8 células de faixa), uma escala linear de ~ 0,73 em comparação com o processo de 7 nm. E podemos ver que o padrão é um pouco mais nítido.
Figura 2. Um EUV substituindo 5 padrões de imersão por melhor fidelidade de padrão, menor tempo de ciclo e menos defeitos.
O documento reivindica mais de dez camadas EUV, substituindo pelo menos 4 vezes mais camadas de imersão nas etapas de corte, contato, via e máscara de linha de metal - 4x o que eles não dizem, mas presumivelmente N7 + (7FF +), a atual iteração EUV. Um processo de padronização de porta baseado em EUV também é mencionado especificamente. O nó de 5 nm é a primeira geração no TSMC, na qual a contagem total de máscaras é reduzida com o uso de EUV (Fig. 3).
Figura 3. Comparação da contagem total de máscaras para os nós de 16 - 5 nm (7FF + não mostrado)
A Fig. 6 abaixo é simplesmente um gráfico dos tamanhos de células SRAM publicados, mostrando que a SRAM de 0,021 µm 2 é a menor relatada até o momento.
Figura 6
Figura 7
Na Fig. 7 acima, temos diagramas oculares para transmissores PAM4 SerDes construídos em um chip de teste de 5 nm, demonstrando os 112 Gb / s mencionados anteriormente e os 130 Gb / s detalhados em resumo.
Quando se trata do back-end, os valores de Rc para o metal mais apertado e os arremessos via são próximos aos do nó 7N:
Fig. 8 Valores RC para os arremessos Mx e Vx mais apertados para os nós N28 - N5
O Vt extremamente baixo (eLVT) dos sete Vts mostrados acima fornece velocidade de pico de 25% em 7 nm e uma célula padrão de 3 aletas permite um aumento extra de 10% no desempenho do HPC (Fig. 8). Penso que esta será a primeira vez que vimos uma célula de 3 barbatanas mencionada em um documento de plataforma, além da célula SRAM 1-1-1, que geralmente é citada como a menor SRAM em um nó específico (neste caso 0,021 µm 2 ).
Figura 9. Os transistores eLVT fornecem velocidade de pico 25% mais rápida em comparação a 7 nm e um desempenho extra de 10% de uma célula padrão de 3 aletas.
Para tentar compensar isso, aqui estão as estimativas dos estimados Scotten Jones ( ICKnowledge , publicado no SemiWiki ) e David Schor ( WikiChip Fuse ) publicados no início deste ano:
Um amigo meu tem o 3600 e o gammaxx, ele disse que muito duro pra instalar as presilhas. Como foi a instalação do seu? É possível sim que esteja mal encaixado
Acho que achei meu Setup.
valid.x86.fr
AMD Ryzen 9 3950X @ 4490.9 MHz - CPU-Z VALIDATOR
[b79cks] Validated Dump by Anonymous (2020-02-08 02:51:50) - MB: Asus CROSSHAIR VI HERO - RAM: 32768 MB
valid.x86.fr
Pois é, li ontem que devem anunciar na Computex (junho), até chegar aqui num preço bom é agosto. AMD tb tá de sacanagem, lançam Zen 2 com X570 e um ano depois vem B550, pouco antes do ZEN 3. Parece malandragem pra empurrar chipset caro.
Alguém sabe se alguma marca de placa mãe dá mais que 1 ano de garantia?
Sim, pq AMD não mudará o socket.
O pessoal diz que a MSI dá 3 anos.
O site diz 3 anos.
MSI Computer do Brasil
Welcome to the MSI Global website. MSI designs and creates Mainboard, AIO, Graphics card, Notebook, Netbook, Tablet PC, Consumer electronics, Communication, Barebone, Server, industrial computing, Multimedia, Clean Machine and Car Infotainment.
br.msi.com
Última edição:
O pessoal diz que a MSI dá 3 anos.
O site diz 3 anos.
MSI Computer do Brasil
Welcome to the MSI Global website. MSI designs and creates Mainboard, AIO, Graphics card, Notebook, Netbook, Tablet PC, Consumer electronics, Communication, Barebone, Server, industrial computing, Multimedia, Clean Machine and Car Infotainment.
Valeu. Fogo é achar MSI em canal oficial, geralmente é tudo contrabando aí garantia no BR não funciona.
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Aqui a Aorus apareceu 3 anos também após registrar no site.
Será que as B450 Aorus tb? Boa, hein. No site citam 1 ano.
Garantia
Placas-mãe: A GIGABYTE oferece garantia limitada de 12 Meses (3 meses legal + 9 meses contratual) em todas as Placas-mãe adquiridas através dos canais oficiais em território brasileiro.
garantia - GIGABYTE Brazil
X370 Não.
Será que as B450 Aorus tb? Boa, hein. No site citam 1 ano.
Garantia
Placas-mãe: A GIGABYTE oferece garantia limitada de 12 Meses (3 meses legal + 9 meses contratual) em todas as Placas-mãe adquiridas através dos canais oficiais em território brasileiro.
garantia - GIGABYTE Brazil
www.gigabyte.com
A garantia de 3 anos provavelmente se estende apenas à linha Aorus e somente após registro do produto no site deles. O ideal seria enviar email confirmando essa informação.
Não passa informação errada, X370 nao terá suporte a geração 4000.
Fonte?
Boa, vou mandar e-mail sobre isso. Tô com B450 Aorus boletada pensando em pagar, se for 3 anos já tá decidido. Comprei Asus TUF B350, menos de 2 anos foi pro saco... 500 reais de prejuízo.
Acho que sim, é o mesmo soquete, não teria porque a amd fazer isso
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Fonte? Agora ele vai ter que bater na porta da amd e perguntar
Acho que sim, é o mesmo soquete, não teria porque a amd fazer isso
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Fonte? Agora ele vai ter que bater na porta da amd e perguntar
Quando do lançamento a AMD informou a compatibilidade mínima até a 3a geração.......
Compre se quiser se arriscar.....
Com a minha HeroVl já perdi um monte de compatibilidades....
Pode pegar o gammax 400 e uma boa pasta térmica tipo cooler master gel ou mx4Em jogo chega a bater 74°, vou ter que providenciar outro cooler.
