É, pelo visto vou sentir a falta da minha 740M, por pior que ela seja.....
E que venha ainda mais... para que o PCIe 4.0 e Thunderbolt não sejam MINHAS principais justificativas se comparado ao Comet.
[TÓPICO DEDICADO] INTEL Comet / Rocket / Alder / Raptor Lake
- Iniciador de Tópicos brender
- Data de Início
Parece que por enquanto só a B460 não terá suporte. Mas PCIE 4.0 só nas Z490 mesmo.
Não faz sentido a H410 que é mais básica suportar e a B460, que tem mais recursos, não. Vou assumir que não vai ter suporte então. Se não suportar duas gerações vai ser sacanagem até para os padrões da Intel.
Acho que a H410 não vai ter também. Só H470 pra cima pelo menos por parte da ASRock e Biostar.
parece q msi vai dar suporte nas H410
Intel Rocket Lake-S 11th Gen Desktop CPUs To Be Supported By Entry-Level 400-Series Motherboards
Intel's 11th Generation Rocket Lake Desktop CPUs are confirmed to feature support on entry-level 400-series motherboards.
wccftech.com
MSI confirms Rocket Lake-S support on H410 motherboards - VideoCardz.com
MSI has confirmed that upcoming Rocket Lake-S processors will be supported by their H410 motherboards. MSI H410 supports Rocket Lake-S MSI Infinite B915 pre-built system’s manual confirms Rocket Lake-S support on entry-level H410 motherboard. The specifications listed in the file clearly confirm...
videocardz.com
biostar parece q só Z490
Tá uma confusão do caramba isso.parece q msi vai dar suporte nas H410
Intel Rocket Lake-S 11th Gen Desktop CPUs To Be Supported By Entry-Level 400-Series Motherboards
Intel's 11th Generation Rocket Lake Desktop CPUs are confirmed to feature support on entry-level 400-series motherboards.MSI confirms Rocket Lake-S support on H410 motherboards - VideoCardz.com
MSI has confirmed that upcoming Rocket Lake-S processors will be supported by their H410 motherboards. MSI H410 supports Rocket Lake-S MSI Infinite B915 pre-built system’s manual confirms Rocket Lake-S support on entry-level H410 motherboard. The specifications listed in the file clearly confirm...
biostar parece q só Z490
Quem concorre com a MX350 é a Xe que tem 96EUs, no caso a off-board Xe-MAX (DG1) e de forma on-board apenas nos chips i7 do Tigerlake, a Xe que virá nos Rocketlake terá 32EUs no máximo (~3x mais fraca que essa do Tigerlake/DG1). Adicionando à redução de desempenho, tanto a DG1 quanto a presente no i7 TGL-U possuem barramento de 4267MHz, enquanto que a versão no Rocketlake terá um máximo de 3200MHz, logo ainda estará longe da MX350 mas será bem melhor que as UHD que vinham até então nos CPUs da Intel.
Sim, mas esses resultados estão levantando uma dúvida bem cruel quanto ao que se sabe: Aparentemente o IPC do RKL está se saindo maior que o do ICL, e isso soa irônico pois o CPC é um backport do SNC... o que é irônico? O aparente fato dos 10nm/10nm+ ser tão quebrado que trazer uma uArch 10nm para o "santo" nó de 14nm fez o IPC subir! A teoria que estou tendo é que, como houve regressão de IPC do SNC para o WLC (por causa do aumento da cache), a Intel utilizou os algoritmos de funcionamento da cache do WLC (empregados para a redução de IPC não ser tão severa) e aplicou-os no CPC (que por ter uma cache menor implica em ganho de desempenho, logo IPC).
Fora isso estou vendo o RKL pegará a coroa em desempenho INT mas perderá em FP, inclusive em relação à 10ªgen, e isso é algo inédito pois a AMD sempre ficou para trás em AVX(2) e agora só para poder ganhar em 1T e ter AVX512 a Intel foi ao extremo em piorar sua uArch em pontos-flutuantes. Backport e seu consumo/temperatura mais uma vez mostrando o porquê dessa opção não ser levada a sério, inclusive tem uma informação nova para ajudar nisso: Os Rocketlake terão uma configuração de memória diferente, onde até os 3200MHz o IMC se comportará de uma maneira (com maior eficiência) e acima disso o IMC se comportará de outra (com menor eficiência) para poder entregar clocks acima de 5000MHz, mas o retorno em desempenho será equivalente ao 1:2 do FCLK do IF dos Ryzens.
PS: TGL = Tigerlake; ICL = Icelake; RKL = Rocketlake; CPC = CypressCove; SNC = SunnyCove; WLC = WillowCove; FP = Ponto-flutuante.
tava pesquisando z490 para comprar aqui, tava pensando em ir na z490 tuf plus porém achei em alguns lugares falando que só as asus z490 topzonas high end que tem hardware necessário para o pcie 4.0. (https://wccftech.com/z490-motherboards-pcie-gen-4-support-detailed-asus-msi-asrock-gigabyte/)
Será que isso vai influenciar na compatibilidade delas com a 11th gen?
Será que isso vai influenciar na compatibilidade delas com a 11th gen?
parece q msi vai dar suporte nas H410
Intel Rocket Lake-S 11th Gen Desktop CPUs To Be Supported By Entry-Level 400-Series Motherboards
Intel's 11th Generation Rocket Lake Desktop CPUs are confirmed to feature support on entry-level 400-series motherboards.biostar parece q só Z490MSI confirms Rocket Lake-S support on H410 motherboards - VideoCardz.com
MSI has confirmed that upcoming Rocket Lake-S processors will be supported by their H410 motherboards. MSI H410 supports Rocket Lake-S MSI Infinite B915 pre-built system’s manual confirms Rocket Lake-S support on entry-level H410 motherboard. The specifications listed in the file clearly confirm...
Sim está uma confusão, e eu já falei do porquê láááá trás (em Maio), mas só agora veremos na prática essa decisão que ninguém deu bola:
Existem dois tipos de chipset para o LGA1200, um lite (CMP-V) e outro comum (CMP-H), e o lite foi usado em grande parte das mobos da série 400: Este tipo limita o desempenho dos Rocketlake e por isso muitos fabricantes não vão oferecer suporte à 11ªgen nas mobos com este chipset para evitar perda de performance.Pior nem é isso, pior é que algumas placas não suportarão processadores Rocketlake (corretamente)
Explicando: Apenas as placas-mãe com chipset CMP-H suportarão PCIe4 e os Rocketlake de forma plena, as placas-mãe com chipset CMP-V não suportarão PCIe4 e limitarão o DMI dos Rocketlake pela metade. Até o momento apenas as placas B460 e H410 trarão chipsets CMP-V, todas as Z490 serão CMP-H.
A decisão de qual tipo usar ficou a cargo dos fabricantes (a menos que a Intel decida por definitivo), então esperem uma lista de suporte mista: A MSI dará suporte nas suas H410 porque ela usou o tipo comum de chipset, enquanto que a Biostar não dará suporte porque ela utilizou o chiset tipo lite, e isso vale para qualquer placa do tipo H410 (a maioria usa o chipset lite) e B460 (algumas usam o chipset lite, outras não), já que todas as Z490 utilizam o chipset comum (assim como as H/Q470 e W480).
---
Aproveitando, novidades:
1) Provavelmente o Rocketlake foi atrasado de novo, meta é amenizar o paper launch (11~14/Jan -> 15/Mar, disponibilidade em 2/Abr);
2) Os Alderlake terão um suporte duplo ao PCI-express, onde terá uma lane x8 PCIe 5.0 (que funcionará em x4) e duas lanes x4 PCIe 4.0 (que não se combinam).
Por que a lane PCIe 5.0 será limitada? Provavelmente um problema/bug, pois o comentário no driver diz que o "suporte será disponibilizado para dispositivos com baixo consumo de largura de banda e/ou baixo número de lanes (ou seja, até uma configuração x4), no entanto não há suporte para se ir além disso [x4]" =S
Última edição:
Quem concorre com a MX350 é a Xe que tem 96EUs, no caso a off-board Xe-MAX (DG1) e de forma on-board apenas nos chips i7 do Tigerlake, a Xe que virá nos Rocketlake terá 32EUs no máximo (~3x mais fraca que essa do Tigerlake/DG1). Adicionando à redução de desempenho, tanto a DG1 quanto a presente no i7 TGL-U possuem barramento de 4267MHz, enquanto que a versão no Rocketlake terá um máximo de 3200MHz, logo ainda estará longe da MX350 mas será bem melhor que as UHD que vinham até então nos CPUs da Intel.
Sim, mas esses resultados estão levantando uma dúvida bem cruel quanto ao que se sabe: Aparentemente o IPC do RKL está se saindo maior que o do ICL, e isso soa irônico pois o CPC é um backport do SNC... o que é irônico? O aparente fato dos 10nm/10nm+ ser tão quebrado que trazer uma uArch 10nm para o "santo" nó de 14nm fez o IPC subir! A teoria que estou tendo é que, como houve regressão de IPC do SNC para o WLC (por causa do aumento da cache), a Intel utilizou os algoritmos de funcionamento da cache do WLC (empregados para a redução de IPC não ser tão severa) e aplicou-os no CPC (que por ter uma cache menor implica em ganho de desempenho, logo IPC).
Fora isso estou vendo o RKL pegará a coroa em desempenho INT mas perderá em FP, inclusive em relação à 10ªgen, e isso é algo inédito pois a AMD sempre ficou para trás em AVX(2) e agora só para poder ganhar em 1T e ter AVX512 a Intel foi ao extremo em piorar sua uArch em pontos-flutuantes. Backport e seu consumo/temperatura mais uma vez mostrando o porquê dessa opção não ser levada a sério, inclusive tem uma informação nova para ajudar nisso: Os Rocketlake terão uma configuração de memória diferente, onde até os 3200MHz o IMC se comportará de uma maneira (com maior eficiência) e acima disso o IMC se comportará de outra (com menor eficiência) para poder entregar clocks acima de 5000MHz, mas o retorno em desempenho será equivalente ao 1:2 do FCLK do IF dos Ryzens.
PS: TGL = Tigerlake; ICL = Icelake; RKL = Rocketlake; CPC = CypressCove; SNC = SunnyCove; WLC = WillowCove; FP = Ponto-flutuante.
Vamos ver como esses CPUs vão desempenhar comercialmente , sei que os highend não são os que mais vende , mas não ter um cpu pra competir com r9 da AMD é muito ruim.
Foda que vão lançar Rocket Lake pra 9 meses depois Lançarem o Alder-Lake que vai ser bem melhor que o Anterior
Intel Urged to Take 'Immediate Action' Amid Threats From Apple Silicon and AMD
Activist hedge fund Third Point LLC is pushing for a major shakeup at Intel in response to threats from Apple, Microsoft, Amazon, AMD, TSMC, and...
www.macrumors.com
Só pode ser ASUS? Se não iria numa MSI Z490 Gaming Plus.
ASUS Z490 Motherboards Severely Lack Behind In PCIe 4.0 Support Compared To Competitors, No Proper Hardware-Level Integration For Rocket Lake CPUs
The PCIe Gen 4 integration on several Z490 motherboards from ASUS, ASRock, MSI & Gigabyte has been detailed for upcoming Intel 11th Gen CPUs.
wccftech.com
Os transistores de nanosheet empilhados da Intel podem ser o próximo passo na lei de Moore
Processo que constrói dois transistores - um diretamente sobre o outro - aumentará a densidade do chip
Imagem: Intel
Os dispositivos NMOS e PMOS geralmente ficam lado a lado nos chips. A Intel encontrou uma maneira de construí-los uns sobre os outros, comprimindo os tamanhos dos circuitos.
Foto: Intel
Os dispositivos CMOS evoluíram de planares para FinFET. Em breve, eles passarão para a nanosheet. A redução dos circuitos ainda exigirá o empilhamento de dispositivos NMOS e PMOS.
Os circuitos lógicos por trás de quase todos os dispositivos digitais atuais dependem de um emparelhamento de dois tipos de transistores - NMOS e PMOS. O mesmo sinal de tensão que liga um deles desliga o outro. Colocá-los juntos significa que a eletricidade deve fluir apenas quando um pouco muda, reduzindo significativamente o consumo de energia. Esses pares estão sentados lado a lado há décadas, mas se os circuitos continuarem encolhendo, eles terão que ficar ainda mais próximos. Esta semana, no IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) , a Intel mostrou uma maneira diferente: empilhar os pares de forma que um fique sobre o outro. O esquema efetivamente cortou a pegada de um circuito CMOS simples pela metade, significando uma potencial duplicação da densidade do transistor em ICs futuros.
O esquema começa usando o que é amplamente aceito como a estrutura de transistor de próxima geração, chamada de nano-folha, nanofibra, nanofio ou dispositivo de porta geral, dependendo de quem está envolvido. Em vez da parte principal do transistor consistir em uma aleta vertical de silício, como ocorre hoje, a região do canal da nanofolha consiste em várias folhas horizontais de nanômetros finas empilhadas umas sobre as outras.
Os engenheiros da Intel usaram esses dispositivos para construir o circuito lógico CMOS mais simples, um inversor. Requer dois transistores, duas conexões de energia, uma interconexão de entrada e uma saída. Mesmo quando os transistores ficam lado a lado, como fazem hoje, o arranjo é muito compacto. Mas ao empilhar os transistores e ajustar as interconexões, a área do inversor foi cortada pela metade.
A receita da Intel para construir nanofolhas empilhadas é chamada de processo autoalinhado porque constrói ambos os dispositivos essencialmente na mesma etapa. Isso é importante porque adicionar uma segunda etapa - digamos, construí-los em wafers separados e uni-los - pode levar a desalinhamentos que destruiriam quaisquer circuitos potenciais.
Em sua essência, o processo é uma modificação das etapas envolvidas na fabricação de transistores de nanofolhas. Tudo começa com camadas repetidas de silício e germânio de silício. Isso é então esculpido em uma barbatana alta e estreita, e o silício germânio é removido para deixar um conjunto suspenso de nanofolhas de silício. Normalmente, todas as nanofolhas iriam formar um único transistor. Mas aqui, as duas nanofolhas superiores são conectadas ao silício dopado com fósforo com o objetivo de formar um dispositivo NMOS, e as inferiores ao silício germânio dopado com boro para produzir PMOS.
O “fluxo de integração” completo é, obviamente, mais complicado, mas os pesquisadores da Intel trabalharam duro para mantê-lo o mais simples possível, diz Robert Chau, pesquisador sênior da Intel e diretor de pesquisa de componentes. “O fluxo de integração não pode ser muito complicado, porque isso afetará a praticidade de fazer chips com CMOS empilhados. Este é um fluxo muito prático com resultados respeitáveis. ”
“Assim que pegarmos o jeito, o próximo passo será ir atrás do desempenho”, diz ele. Isso provavelmente envolverá o aprimoramento dos dispositivos PMOS, que agora estão atrás do NMOS em sua capacidade de conduzir a corrente. A resposta para esse problema é provavelmente a introdução de “tensão” no canal do transistor, diz Chau. A ideia é distorcer a rede do cristal de silício de forma que os portadores de carga (orifícios, neste caso) passem mais rápido. A Intel introduziu a tensão em seus dispositivos em 2002. Em uma pesquisa separada no IEDM, a Intel mostrou um método de produção de deformação compressiva e de tração em transistores de nanoribão.
Outras organizações de pesquisa também estão buscando designs de nanofolhas empilhadas, embora às vezes sejam chamadas de FETs complementares ou CFETs. A organização de pesquisa belga Imec foi pioneira no conceito de CFET e relatou sua construção no Simpósio IEEE VLSI em junho passado. No entanto, os componentes do Imec não foram feitos completamente de transistores de nanofolha. Em vez disso, a camada inferior consistia em um FinFET e a superior em uma única nanofolha. Pesquisadores em Taiwan relataram a produção de uma estrutura CFET com uma única nanofolha para PMOS e NMOS . Em contraste, o circuito da Intel tinha um NMOS de duas nanofolhas sobre um PMOS de três nanofolhas, que é mais próximo da aparência dos dispositivos quando o empilhamento de tempo se torna necessário.
O transistor de nanofolha é o próximo (e talvez o último) passo na Lei de Moore
Imagem: IBM
A forma das coisas que virão: Os transistores de efeito de campo de nanofolha fluem corrente através de várias pilhas de silício que são completamente circundadas pela porta do transistor. O design reduz as vias de vazamento de corrente e aumenta a quantidade de corrente que o dispositivo pode conduzir.
spectrum.ieee.org
Eles querem que a INTEL se desfaça de sua fabricação, mas estão preocupados que "o acesso da América ao fornecimento de semicondutores de ponta vá se desgastar, forçando os EUA a depender mais fortemente de um Leste Asiático geopoliticamente instável". Se a Intel perder a fabricação, TSMC e Samsung serão as únicas fábricas de nós líderes restantes.
Além disso, sou o único que pensa que o lado da manufatura é o negócio mais lucrativo no longo prazo? A Apple mostrou que qualquer empresa com alguns bilhões disponíveis (basicamente todas as empresas de tecnologia hoje em dia) pode construir uma equipe de design decente do zero. Portanto, no lado do design, a Intel está competindo com a apple, amd, google, amazon, microsoft, ampere, qualcomm, várias startups, etc. No lado da fabricação, eles competem com duas empresas: TSMC e Samsung. A fabricação é muito cara e de longo prazo para qualquer nova empresa entrar no mercado.
Portanto, se a Intel quiser usar o nó mais recente e melhor, com quem ela confiaria neste cenário de desinvestimento de suas fábricas? TSMC cuja capacidade é reservada pela Apple e tem que lutar contra a AMD, Qualcomm etc. pelos restos de lixo? Seus fabricantes desmembrados que provavelmente terão o mesmo destino que Global Foundries? Alguém pode me explicar a lógica?
Qualquer campo alternativo explorado pela Intel exigirá muito dinheiro e risco também.
Esses ativistas apenas tentam criar valor de ações de curto prazo por meios que podem não ser bons para a empresa no longo prazo e vendem assim que as ações atingem seu objetivo. A Intel não deve vender manufatura ou spin-off de nenhuma empresa de IA.
Processo que constrói dois transistores - um diretamente sobre o outro - aumentará a densidade do chip
Imagem: Intel
Os dispositivos NMOS e PMOS geralmente ficam lado a lado nos chips. A Intel encontrou uma maneira de construí-los uns sobre os outros, comprimindo os tamanhos dos circuitos.
Foto: Intel
Os dispositivos CMOS evoluíram de planares para FinFET. Em breve, eles passarão para a nanosheet. A redução dos circuitos ainda exigirá o empilhamento de dispositivos NMOS e PMOS.
Os circuitos lógicos por trás de quase todos os dispositivos digitais atuais dependem de um emparelhamento de dois tipos de transistores - NMOS e PMOS. O mesmo sinal de tensão que liga um deles desliga o outro. Colocá-los juntos significa que a eletricidade deve fluir apenas quando um pouco muda, reduzindo significativamente o consumo de energia. Esses pares estão sentados lado a lado há décadas, mas se os circuitos continuarem encolhendo, eles terão que ficar ainda mais próximos. Esta semana, no IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) , a Intel mostrou uma maneira diferente: empilhar os pares de forma que um fique sobre o outro. O esquema efetivamente cortou a pegada de um circuito CMOS simples pela metade, significando uma potencial duplicação da densidade do transistor em ICs futuros.
O esquema começa usando o que é amplamente aceito como a estrutura de transistor de próxima geração, chamada de nano-folha, nanofibra, nanofio ou dispositivo de porta geral, dependendo de quem está envolvido. Em vez da parte principal do transistor consistir em uma aleta vertical de silício, como ocorre hoje, a região do canal da nanofolha consiste em várias folhas horizontais de nanômetros finas empilhadas umas sobre as outras.
Os engenheiros da Intel usaram esses dispositivos para construir o circuito lógico CMOS mais simples, um inversor. Requer dois transistores, duas conexões de energia, uma interconexão de entrada e uma saída. Mesmo quando os transistores ficam lado a lado, como fazem hoje, o arranjo é muito compacto. Mas ao empilhar os transistores e ajustar as interconexões, a área do inversor foi cortada pela metade.
A receita da Intel para construir nanofolhas empilhadas é chamada de processo autoalinhado porque constrói ambos os dispositivos essencialmente na mesma etapa. Isso é importante porque adicionar uma segunda etapa - digamos, construí-los em wafers separados e uni-los - pode levar a desalinhamentos que destruiriam quaisquer circuitos potenciais.
Em sua essência, o processo é uma modificação das etapas envolvidas na fabricação de transistores de nanofolhas. Tudo começa com camadas repetidas de silício e germânio de silício. Isso é então esculpido em uma barbatana alta e estreita, e o silício germânio é removido para deixar um conjunto suspenso de nanofolhas de silício. Normalmente, todas as nanofolhas iriam formar um único transistor. Mas aqui, as duas nanofolhas superiores são conectadas ao silício dopado com fósforo com o objetivo de formar um dispositivo NMOS, e as inferiores ao silício germânio dopado com boro para produzir PMOS.
O “fluxo de integração” completo é, obviamente, mais complicado, mas os pesquisadores da Intel trabalharam duro para mantê-lo o mais simples possível, diz Robert Chau, pesquisador sênior da Intel e diretor de pesquisa de componentes. “O fluxo de integração não pode ser muito complicado, porque isso afetará a praticidade de fazer chips com CMOS empilhados. Este é um fluxo muito prático com resultados respeitáveis. ”
“Assim que pegarmos o jeito, o próximo passo será ir atrás do desempenho”, diz ele. Isso provavelmente envolverá o aprimoramento dos dispositivos PMOS, que agora estão atrás do NMOS em sua capacidade de conduzir a corrente. A resposta para esse problema é provavelmente a introdução de “tensão” no canal do transistor, diz Chau. A ideia é distorcer a rede do cristal de silício de forma que os portadores de carga (orifícios, neste caso) passem mais rápido. A Intel introduziu a tensão em seus dispositivos em 2002. Em uma pesquisa separada no IEDM, a Intel mostrou um método de produção de deformação compressiva e de tração em transistores de nanoribão.
Outras organizações de pesquisa também estão buscando designs de nanofolhas empilhadas, embora às vezes sejam chamadas de FETs complementares ou CFETs. A organização de pesquisa belga Imec foi pioneira no conceito de CFET e relatou sua construção no Simpósio IEEE VLSI em junho passado. No entanto, os componentes do Imec não foram feitos completamente de transistores de nanofolha. Em vez disso, a camada inferior consistia em um FinFET e a superior em uma única nanofolha. Pesquisadores em Taiwan relataram a produção de uma estrutura CFET com uma única nanofolha para PMOS e NMOS . Em contraste, o circuito da Intel tinha um NMOS de duas nanofolhas sobre um PMOS de três nanofolhas, que é mais próximo da aparência dos dispositivos quando o empilhamento de tempo se torna necessário.
O transistor de nanofolha é o próximo (e talvez o último) passo na Lei de Moore
Imagem: IBM
A forma das coisas que virão: Os transistores de efeito de campo de nanofolha fluem corrente através de várias pilhas de silício que são completamente circundadas pela porta do transistor. O design reduz as vias de vazamento de corrente e aumenta a quantidade de corrente que o dispositivo pode conduzir.
The Nanosheet Transistor Is the Next (and Maybe Last) Step in Mooreâs Lawâ©
Nanosheet devices are scheduled for the 3-nanometer node as soon as 2021
spectrum.ieee.org
--- Post duplo é unido automaticamente: ---
Intel Urged to Take 'Immediate Action' Amid Threats From Apple Silicon and AMD
Activist hedge fund Third Point LLC is pushing for a major shakeup at Intel in response to threats from Apple, Microsoft, Amazon, AMD, TSMC, and...
Eles querem que a INTEL se desfaça de sua fabricação, mas estão preocupados que "o acesso da América ao fornecimento de semicondutores de ponta vá se desgastar, forçando os EUA a depender mais fortemente de um Leste Asiático geopoliticamente instável". Se a Intel perder a fabricação, TSMC e Samsung serão as únicas fábricas de nós líderes restantes.
Além disso, sou o único que pensa que o lado da manufatura é o negócio mais lucrativo no longo prazo? A Apple mostrou que qualquer empresa com alguns bilhões disponíveis (basicamente todas as empresas de tecnologia hoje em dia) pode construir uma equipe de design decente do zero. Portanto, no lado do design, a Intel está competindo com a apple, amd, google, amazon, microsoft, ampere, qualcomm, várias startups, etc. No lado da fabricação, eles competem com duas empresas: TSMC e Samsung. A fabricação é muito cara e de longo prazo para qualquer nova empresa entrar no mercado.
Portanto, se a Intel quiser usar o nó mais recente e melhor, com quem ela confiaria neste cenário de desinvestimento de suas fábricas? TSMC cuja capacidade é reservada pela Apple e tem que lutar contra a AMD, Qualcomm etc. pelos restos de lixo? Seus fabricantes desmembrados que provavelmente terão o mesmo destino que Global Foundries? Alguém pode me explicar a lógica?
Qualquer campo alternativo explorado pela Intel exigirá muito dinheiro e risco também.
Esses ativistas apenas tentam criar valor de ações de curto prazo por meios que podem não ser bons para a empresa no longo prazo e vendem assim que as ações atingem seu objetivo. A Intel não deve vender manufatura ou spin-off de nenhuma empresa de IA.
Última edição:
Tô cogitando mesmo pegar a z490 gaming plus, meu único receio é que ela parece ser o mesmo projeto da b550 gaming plus que tenho aqui no setup AMD e o áudio dessa B550 é tenebroso, nunca liguei pra áudio mas nessa placa eu reparei, aí tive que comprar um DAC externo.Só pode ser ASUS? Se não iria numa MSI Z490 Gaming Plus.
ASUS Z490 Motherboards Severely Lack Behind In PCIe 4.0 Support Compared To Competitors, No Proper Hardware-Level Integration For Rocket Lake CPUs
The PCIe Gen 4 integration on several Z490 motherboards from ASUS, ASRock, MSI & Gigabyte has been detailed for upcoming Intel 11th Gen CPUs.
PS: reparei que a z490 tem o alc1200, porém ele sozinho não significa nada se a msi não fez o dever de casa em relação as trilhas. Atualmente divido o PC com meu irmão, a idéia vai ser esse setup novo Intel ficar pra mim. O preço do 10600kf tá muito atrativo no ali, inclusive boletei ele por 1163 pilas, porém essas z490 que tão matando o custo benefício.
Como o CPU deve demorar uns 30 dias pra chegar, vou dar uma segurada quanto a mobo vai que nesse meio tempo a Intel libera OC nas b460..
Eu tenho uma Z490 Gaming Plus mas não sei te dizer nada a respeito do áudio pois eu uso um G633 da Logitech que é independente do áudio onboard da placa. Ela já ficou por 1300 em uma promo da Kabum mas faz alguns meses que não voltou essa promo, a minha eu paguei 1500 na época que comprei.
Quanto a possibilidade da Intel liberar OC de memórias nas B460 acho que é bem seguro dizer que isso não irá acontecer, até porque não venderiam as futuras B560 se fizessem isso.
áudio preciso saber de 2 coisas, quando você liga o PC dá uma pipocada no fone de ouvido ou na caixa de som? durante uso normal vc repara algumas pipocadinhas no áudio também? No meu caso aqui acontece ambos, inclusive mesmo com o DAC externo esse primeiro problema ao ligar o PC acontece também (na minha mobo antiga b450 tomahawk não acontecia), me levando até desconfiar que possa ser algo relacionado a meu CPU ao invés da MOBO ou então ambos em conjunto ( o ryzen 3600 aqui, está apresentando WHEA errors event 19, e também ele tem 0 margem pra undervolt qualquer coisinha ele já crasha , está literalmente numa corda bamba, e sempre foi usado em stock).
PS: já li que por exemplo mesmo a pessoa não usando áudio onboard, ainda vai ter a relação dos buffers de áudio com CPU e a RAM em forma de bits que são enviados, não é a toa que FCLK instável nos ryzens causa problemas de áudio. Porém aqui mesmo a ram em 2133mhz o problema persiste. Vamos ver como vai estar a situação das z490 aqui no BR nos próximos 30 dias, se não mudar vou ter que ir na msi z490 gaming plus mesmo então (3 anos de garantia, se der algo no áudio nessa da intel também me resolvo depois com a MSI). O CPU já vou pagar o boleto aqui agora que esse preço de 1163 reais está excelente.
Última edição:
Cara, aqui quando ligo o PC e está carregando o Windows(coisa que é bem rápida) eu ouço sim um barulhinho no fone de ouvido parecido com esse que você disse. Achava até que fosse do headset, como eu tenho outro aqui mais tarde eu vou fazer um teste pra ver se acontece a mesma coisa com o outro e te digo.
Mas vc quer trocar seu 3600 por um 10600k ?
Se for isso, não acho q vale a pena.
Eu troquei essa semana meu 4790k pro 10700k, e foi um total absurdo a diferença, da agua pro vinho, o 4790k ainda segurava MUITA coisa 60FPS +, mas agora o 10700k está jorrando FPS.
No seu caso, com certeza eu esperava alder lake, ddr5 e afins, 3600 ainda é um otimo processador hoje, não está capengando como 4-8, no meu caso que já incomodava.
E já fui de 10700k pois sei que vai durar essa proxima geração toda com pé nas costas.
Mas quem tem 6-12 tem que esperar mais tempo pra trocar, não está gargalando nos jogos ainda, jogo MP pesado, 4790k dando 100% de load estava matando.
Não quero trocar para o 10600k, o PC que eu uso eu divido com meu irmão. Estou montando outro PC para ficar o com 10600kf para eu usar, e o com 3600 pro meu irmão. Achei o preço do 10600kf bem legal no ali.
A sim, pelo ali o 10600k so pra jogar nesse valor realmente é imbatível se n for taxado.
Pegando uma z490 com features, ficaria suave.
Eu duvido muito que pciE4.0 influa em algo nessa geração proxima, mas teria possibilidades de usar pelo menos.
Já que os haters da Intel disfarçados de isentos só postam coisa ruim da Intel 90% das vezes aqui e dizem estar ''informando'', vou postar uma coisa boa do 11900k, pelo visto o trono da AMD em ser melhor nos jogos (nem era em todos jogos por sinal) não durou quase nada...
Detalhe, isso aí com latência de RAM baixa ainda (30-35ns) vai voar, nada de 50+ns igual a concorrência.
--- Post duplo é unido automaticamente: ---
Detalhe, isso aí com latência de RAM baixa ainda (30-35ns) vai voar, nada de 50+ns igual a concorrência.
Intel Confirms On-Package HBM Memory Support for Sapphire Rapids
With HBM memory onboard, CPUs start to look like GPUs
www.tomshardware.com
A Intel precisa de um novo CEO: fundador da Cypress Semiconductor, TJ Rodgers
With HBM memory onboard, CPUs start to look like GPUs
Intel Confirms On-Package HBM Memory Support for Sapphire Rapids
With HBM memory onboard, CPUs start to look like GPUs
A Intel precisa de um novo CEO: fundador da Cypress Semiconductor, TJ Rodgers
Última edição:
parece q os comet lake n vão funcionar nas mobos serie 500, boa intel /s
:v
wccftech.com
:v
Z590 Motherboards Feature PCIe Gen 4.0 Compatibility Only With 11th Gen Intel Rocket Lake Core i9, Core i7, Core i5 CPUs
It looks like only Intel's 11th Gen Rocket Lake Core i9, Core i7 & Core i5 CPUs will support PCIe Gen 4 on the Z590 motherboards.
wccftech.com